Решения реализуемые на LTCC-керамике:
- Силовая электроника
- Многокристальные микросборки
- СВЧ-электроника
- Корпуса для упаковки МЭМС и сенсоров
- Криволинейные структуры
- Переходные платы (interposers)
Наряду с производством традиционных плоских 2D-структур на керамических и полимерных материалах, НПЦ СЭС оснащен технологиями производства 3D интегрированных подложек из керамики низкотемпературного обжика КНТО (Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC)
НПЦ СЭС обладает полным технологическим циклом изготовления микромодулей на многослойной низкотемпературной керамике
Производство НПЦ СЭС располагается на территории особой экономической зоны “Технополис Москва”, кластер микроэлектроники
Технологическими участками занято 1000 кв.м “чистых помещений”, 100 кв.м из которых имеют чистоту класса 7 ИСО по ГОСТ
Натяжение сеток
Сетчатые трафареты изготавливаются как на сетках из высококачественной нержавеющей стали, так и на недорогих полиэстеровых.
Усилие натяжения 32-35 Н выставляется по заданной программе и контролируется датчиком натяжения с адаптивной обратной связью.
Достигается равномерная натяжка, исключаются искажения по всей рабочей площади 1000 х 1000 мм. Трафреты имеют максимальный размер рабочего поля 8 х 8 дюймов, разрешение по топологии 100 х 100 мкм с допустимым отклонением ±5 мкм.
Установка натяжения работает по отлаженным программам с последующим протоколированием всех выполняемых операций.
Правильно изготовленный трафарет - основа высокой повторяемости параметров техпроцесса.
Монтаж полупроводниковых кристаллов
Посадка кристаллов выполняется на полимерные адгезивы и пасты, преформы паяльных сплавов.
Оборудование поддерживает возможность подогрева стола и инструментов захвата. Техническое зрение распознаёт границы контуров топологии и матричные коды.
Производится автоматическая смена инструмента. Кристаллы с выводами на поверхность устанавливаются методом флип-чип.
Три типа дозаторов: воздух-вакуум, шнековый и струйный. Кристаллы извлекаются с пленочного носителя манипулятором пятью видами подкола без сдвига соседних элементов, из транспортных носителей типвом wafepack и gelpack.
Электрическое присоединение полупроводниковых кристаллов
Контактные площадки на полупроводнике соединяются с контактами подложки металлической Au-, Al- проволокой.
Оборудование поддерживает УЗ-сварку проволочных перемычек всеми типовыми материалами. Доступны методы “шарик-клин” и “клин-клин” от проволок диаметром 18 мкм до лент 2000х300 мкм.
Есть возможность соединять кристаллы, размещённые в “глубоком колодце”. Производится сплошное тестирование крепления на усталостную выносливость (отрыв и сдвиг) с максимальной нагрузкой до 50 Н.
Установка оснащена видеосистемой наблюдения и протоколирования всех этапов присоединения (испытания) кристалла.
Герметизация
Вакуум-плотная герметизация, монтаж металлических крышек, крышек с кварцевым стеклом, полупроводниковыми пластинами выполняется методами шовно-роликовой и лазерной сварки с проверкой на герметичность.
Герметизация производится в перчаточном скафандре в атмосфере азота или в вакууме.
При подготовке компонентов к герметизации применяется вакуумная печь со шлюзом. Есть возможность создания корпусов с обычными металловыводами и герметичных широкополосных СВЧ-выводов с заданным импедансом и малыми потерями. Перед сваркой выполняется операция префиксации с компьютерным контролем точности и видеосистемой высокого разрешения.